首页> 外文OA文献 >3-D modeling and simulation of crystal growth of GE₀.₉₈ Si₀.₀₂ under the influence of various gravity levels, G-jitter and rotating magnetic field using traveling solvent method
【2h】

3-D modeling and simulation of crystal growth of GE₀.₉₈ Si₀.₀₂ under the influence of various gravity levels, G-jitter and rotating magnetic field using traveling solvent method

机译:基晶晶体晶体生长的3-D模拟与晶体生长模拟。₀2在各种重力水平,G-抖动和旋转磁场的影响下使用行驶溶剂方法

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

著录项

  • 作者

    Mehdi Mohammadi Shemirani;

  • 作者单位
  • 年度 2021
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号