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【2h】

Strained single-crystal GOI (Ge on Insulator) arrays by rapid-melting growth from Si (111) micro-seeds

机译：通过Si（111）微粒的快速熔化生长，应变单晶GOI（GE在绝缘体上）阵列

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T. Sakane; K. Toko; T. Tanaka; T. Sadoh; M. Miyao;
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年度 2011
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原文格式 PDF
正文语种 eng
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