机译:一种新型的沟槽式IGBT,具有用于功率IC系统的出色电特性
机译:制备的用于智能功率IC的横向沟槽电极IGBT的电气特性
机译:采用0.6μm智能功率技术的低导通电阻沟道横向功率MOSFET
机译:具有有效p / sup + /分流器的横向沟槽IGBT,具有用于智能功率IC的出色电气特性
机译:用于功率IC应用的硅横向沟道功率MOSFET
机译:具有超越1D限制的RSP-BV折衷和卓越的反向恢复特性的新型功率MOSFET
机译:利用自对准和氢退火技术分析高密度沟槽栅极电源DMOSFET的电气特性