机译:使用GaN盖层改善AlInN / AlN / GaN HEMT的截止状态特性和动态导通电阻
机译:基于第四级背屏对高功率应用的分级alinn / ALN / GAN HEMT器件性能的优化
机译:在10 GHz下具有10W / mm和50%PAE的SiC上的AlInN / AlN / GaN HEMT技术
机译:AlInN层中具有负电容的高K栅极AlInN / AlN / GaN MOS-HEMT结构的C-V表征的量子力学自洽仿真和分析模型
机译:用于大功率应用的AlInN / GaN HEMTS的技术开发和表征
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:通过频率依赖的导纳分析研究AlInN / AlN / GaN异质结构中的陷阱态