机译:具有高k最后替代金属栅极技术的激进缩放平面和多栅极鳍式场效应晶体管器件的有效功函数工程
机译:具有高k电介质和高功函数金属门的基于氮化物的电荷陷阱存储器件的数据保留特性,用于多千兆位闪存
机译:稀土金属对n沟道金属氧化物半导体器件应用中的全硅化栅极/高k电介质堆叠的有效功函数调制的作用
机译:一个新的变化图,用于检查先进的高k金属栅CMOS器件中界面偶极感应功函数的变化
机译:系统评估金属栅电极的有效功函数及其对CMOS器件性能的影响。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:镧系元素注入用于NmOs高k /金属栅极堆叠中的有效功函数控制