机译:应变SiGe p-MOSFET在各种(001)Si凹陷结构上对选择性外延生长的影响
机译:具有选择性外延生长的50 nm高性能应变SiGe pMOSFET的制造
机译:300 mm Si(001)上的Algaas / GaAs异质结构的选择性外延生长,用于红色光学发射
机译:用干蚀刻形成用于GE选择性外延生长的SI凹槽的方法
机译:银(001)和银(111)上超薄外延铬和氧化铁膜的生长和结构:通过X射线光电子衍射和低能电子衍射完成的综合研究。
机译:血小板衍生的生长因子受体β核心启动子核酸酶超敏元件中重叠的G-四链体和i-基序的后果可以解释突变的意想不到的作用并为小分子选择性靶向两种结构提供下调基因表达的机会。
机译:在凹陷源和漏极处逐步siGe:B的选择性外延生长:生长动力学和应变分布研究
机译:Gaas(001) - 2x4上Fe膜的外延生长,结构和组成;杂志文章