机译:通过MOCVD生长的In_xO_y薄膜的电学特性针对不同应用的调整
机译:热退火对MOCVD法制备TiO2薄膜结构,形貌和电学性能的影响
机译:调整透明氧化物导体的性能掺杂离子尺寸和电子结构对基于CdO的透明导电氧化物的影响MOCVD生长的Ga和In掺杂CdO薄膜
机译:MOCVD生长的HfZrO_4高k薄膜的物理和电学性质,可沉积在可生产的300 mm沉积系统中
机译:在电子和光子器件应用的硅基板上MOCVD生长的InP和相关薄膜。
机译:通过Fe2O3:NiO比调节室温生长的外延薄膜的结构光学带隙和电性能
机译:RF磁控溅射生长的Cu掺杂ZnO薄膜的结构,光学和电性能:太阳能光催化的应用
机译:用mOCVD生长211的反铁电锆酸铅薄膜的性质和取向