机译:对n型和p型ln_0.53Ga_0的AI_2O_3 / ln_0.53Ga_0.47As / lnP系统的界面特性进行(NH4)2S钝化(22%,10%,5%或1%)的系统研究.47As外延层
机译:基于气隙电容-电压法的原子层沉积Al2O3 / In0.53Ga0.47As界面形成机理的研究
机译:在低温下使用原子层沉积(100-200摄氏度)在0.53ga0.47as上制造的HFO2 / AL2O3电介质的电性能
机译:In0.53Ga0.47As衬底上HfO2 / Al2O3双层栅极电介质的电和电荷俘获特性
机译:系统地研究线虫秀丽隐杆线虫基因在亚家族IV(假定的跨双层两亲性转运蛋白)中的表达和功能。
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:(NH4)(2)s钝化(22%,10%,5%或1%)对n型和p型al2O3 / In0.53Ga0.47as / Inp体系界面性质的系统研究In0.53Ga0.47as外延层