Metal oxide semiconductors; Linear energy transfer (let); Circuit boards; Electric potential; Field effect transistors; High current; Latch-up; Fluence; Switching; Polarity; Low currents;
机译:使用背面激光测试表征功率MOSFET中的单事件熔断
机译:使用离子束表征进行单事件闭锁测试的可变深度布拉格峰方法的验证
机译:SiC和CoolMOS功率MOSFET中的双极闩锁的紧凑电热可靠性建模和实验表征
机译:商用数模转换器的单事件闩锁和总电离剂量测试结果简述
机译:铟镓砷化物MOSFET的单一事件瞬变,用于SUB-10 NM CMOS技术
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:SiC和CoolMOS功率MOSFET中的双极闩锁的紧凑电热可靠性建模和实验表征