Gallium Arsenides; Indium Arsenides; Zinc Selenides; Crystal Growth; Dislocations; Interfaces; Nucleation; Progress Report; Semiconductor Junctions; Semiconductor Materials; Structural Models;
机译:晶格失配的III-V半导体界面上失配位错构型的生长模式依赖性
机译:SiGe / Si异质结构的错位脱位:成核 - 繁殖 - 乘法
机译:III-V半导体界面中的成核,传播,电子能级和消除错配位错的消除。最终报告,1986年9月1日 - 1993年8月31日