ETUDE DU PROCESSUS DE RECOMBINAISON DES PAIRES ' ÉLECTRON-TROU ' DANS LE GERMANIUM IRRADIÉ PAR LES RAYONS Y DU COBALT 60 A L'AIDE DE L'EFFET PHOTOVOLTAIQUE DANS LES JONCTIONS P-N

摘要

En utilisant l'effet photovoltaïque dans les jonctions p-n, nous avons étudié au cours du bombardement le mécanisme de recombinaison des paires « électron-trou » en présence des défauts de structure introduits dans le germanium de type N et de type P par les rayons gamma d'une source de 60Co.nA 310°K, le niveau des centres de recombinaison se trouve à 0,25 eV au-dessous de la bande de conduction et les sections efficaces de capture des trous et des électrons ont' respectivement pour valeurs :nσp= 4 X 10-15 cm2 et σ- = 3 X 10-15 cm2nLa voleur de σn semble sous-estimée, du fait que le nombre des défauts dans les échantillons de type P paraît plus faible que dans ceux de type N. Ces résultats laissent à penser que les interstitiels sont responsables de la recombinaison.nA 80°K, nous avons" trouvé dans les échantillons de type N, un niveau peu profond situé à 0,05 eV au-dessous de la bande de conduction avec la section efficace de capture des trous σP ≥ 10 —14 cm2. Nous pensons que dans ce cas, la recombinaison des porteurs de charge est contrôlée par des paires « lacune-' interstitiels » proches.nDans les échantillons de type P à basse température, la durée de vie reste pratiquement constante au cours de l'irradiation. Ce fait est attribué à une guéri-son spontanée des défauts d'origine purement électrique.nDans la dernière partie du travail, l'étude de l'effet photovoltaïque appliqué au problème de la dosimétrie des rayons gamma est considérée. On montre que de tels dosimètres basés sur ce principe permettent de mesurer l'intensité des rayons gamma dans une gamme très étendue.