Infrared Radiation; Semiconductor Materials; Electrical Properties; Energy-Level Transitions; Gallium Arsenides; Indium Phosphides; Mercury Tellurides; Optical Properties; Photoconductors; Semiconductor Detectors;
机译:蒸发的PtSi / p-Si(100)肖特基势垒作为高量子效率红外探测器的微观结构,电学和光学性质
机译:低能电子辐照对InGaN / GaN多量子阱结构的光电性能的影响
机译:纳米TiO_2薄膜的光学性质及其在红外探测器上的减反射膜应用
机译:Zn {Sub}的光学性质0.46CD {Sub} 0.54SE / Zn {Sub} 0.24CD {Sub} 0.24CD {Sub} 0.25mg {sub} 0.51se用于红外光电探测器应用的多个量子孔
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:铜基三元或四元各向异性量子点多型纳米晶体和核/壳异质结构的光学性质合成及其潜在应用
机译:红外光电探测器量子阱多层结构中InAs / InGaAs / GaAs量子点的光学性质研究
机译:用于中红外激光应用的基于锑的I型和II型多量子阱半导体结构的光学表征。