Interfaces; Superlattices; Band gaps; Reprints; Approximation(Mathematics); Anisotropy; Gallium antimonides; Indium arsenides; Spin orbit coupling;
机译:具有不同衬底,层取向和界面键的短周期(InAs)_n /(GaSb)_m超晶格的能带隙和能带边缘的拟势计算
机译:AlSb和InAs-GaSb层厚度对InAs / AlSb / GaSb II型超晶格中HH-LH分裂和带隙能的影响
机译:在INAS / GASB和GASB / INAS核心壳纳米线中的带倒置间隙
机译:带隙调谐和光学吸收 - II型INAS / GASB中红外短期短期超晶格:14频段K?P研究
机译:InAs / GaInSb和InAsN / GaInSb应变层超晶格带隙的理论模拟。
机译:InAs / GaSb和GaSb / InAs核-壳纳米线的能带反转间隙
机译:长波长红外检测,带结构和有效质量在INAS / GASB纳米结构超晶格中