Microwaves; Amplifiers; Circuits; Networks; Detectors; Department of defense; Radar; Broadband; Wafers; Integrated circuits; Military research; Radiofrequency;
机译:GaN的历史:从婴儿期到可制造过程的高功率射频氮化镓(GaN)
机译:23.5-30?GHz氮化镓上硅功率放大器MMIC,7.6-12.4 W饱和输出功率
机译:氮化镓为新放大器系列提供动力
机译:宽带氮化镓(GaN)功率放大器
机译:基于氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的倒装芯片集成宽带功率放大器
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:高功率宽带石墨烯无培养电路支持Class-J GaN HEMT功率放大器