Einfluß von Verunreinigungen von Quarz auf die Reinheit geglühter Halbleiteroberflächen

摘要

Es wird gezeigt, daß die durch Aktivierungsanalyse auf Si-Wafern nachgewiesenen Verunreinigungen zum Teil aus dem Quarzglas der bei der Herstellung verwendeten Apparaturen stammen können. Durch Aktivierung neuer und schon verwendeter Quarzgläser wurden die darin enthaltenen Verunreinigungen bestimmt. Der Übergang solcher Verunreinigungen aus aktivierten Quarzampullen auf Si-Scheiben wurde untersucht.