Alloys; Ultraviolet lasers; Band gaps; Doping; Optoelectronics; Photonics; Semiconductors; Deep uv photonics; Doping issues; Iii-nitride wide bandgap semiconductors;
机译:用于深紫外LED的AlN和高Al含量的AlGaN基MQW的二维生长控制
机译:用于深紫外LED的高Al含量p型AlGaN的生长和退火条件
机译:用于深紫外LED的高Al含量p型AlGaN的生长和退火条件
机译:实现用于深紫外光子学的导电高Al含量AlGaN合金
机译:基于AlGaN的深紫色激光器中的光学增益和模态损耗=基于Algan的UVC激光二极管中的光学利润和模态损耗
机译:(AlN)m /(GaN)n超晶格中MgGaδ掺杂降低高Al含量AlGaN合金中Mg活化能的实验证据
机译:控制用于深UV LED的alN和高al含量alGaN基mQW的二维生长