Photodetectors; Capacitance; Direct current; Electron beams; Gallium arsenides; Highresolution; High sensitivity; Measurement; Metals; Sensitivity; Width; Reprints; Fabrication; Semiconductors; Epitaxial growth;
机译:使用化学放大的抗蚀剂工艺的电子束光刻技术制造7纳米四分之一间距(7纳米间距和21纳米线宽)的线和间隔图案的理论研究:I.灵敏度和化学梯度之间的关系
机译:使用电子束光刻技术制造磁记录设备的低于50 nm的关键特征
机译:使用电子束光刻和CF / sub 4 // Q / sub 2 /反应离子刻蚀制备50 nm以下的多晶硅/ SiO / sub 2 // Si窄线
机译:手指宽度和手指间距小于0.1um的高速GaAs金属-半导体-金属光电探测器
机译:高速光电探测器量子点的分子束外延。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:用于制造50 nm以下硅化物结构的无阻电子束光刻工艺
机译:Tera-Hertz Gaas金属半导体金属光电探测器,具有25 nm的手指间距和手指宽度