机译:HgCdTe膜的MOCVD生长及其掺杂的电学性能。
As doping; electrical properties; HgCdTe; MOCVD;
机译:HgCdTe膜的MOCVD生长及其掺杂的电学性能。
机译:MOCVD生长的掺氯ZnO薄膜的电学性能
机译:气溶胶辅助MOCVD法生长In,Ga和Al掺杂的ZnO薄膜的性能:沉积温度,掺杂水平和退火的影响
机译:使用Si掺杂的界面层改善MOCVD-生长的INSB薄膜的电气和热电性能
机译:通过MOCVD生长的高导电性和透明氧化镉薄膜:外延生长和掺杂效应
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:通过MOCVD生长的InxOy薄膜的电学性质针对不同应用的调整