Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性

摘要

SOI基板上に作成したシリコン細線を酸化することによりパターン依存酸化現象が生じ、簡単に単電子トランジスタを作成できることが知られている．本研究では、このシリコン細線の取付け部のパターン形状を工夫して、酸化することにより、ダブルドットの単電子トランジスタができることを示した．更に、測定したデータとシミュレーション結果を比較することにより、これを確認した．