InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化姿態

摘要

AR端面側光出射領域のOBIC強度をモニタし、0.98μm帯nGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化機構を解析した。 突発故障はCODにより生じたことを確認し、端面劣化がCOD劣化を支配するだけではなく、通電電流増加率を上げ摩耗故障も支配することがわかった。