オンチップ集積化マイクロ磁界プローブを用いた暗号LSIの近傍磁界計測

摘要

暗号モジュールからの漏洩電磁波や消費電力を利用し，暗号解読を行うサイドチャネル攻撃の危険性が指摘されている．本研究では，チップ試作サービスを利用して試作した，シールディドループ型オンチップマイクロ磁界プローブを用いて暗号LSIの近傍磁界を測定した．その結果，暗号LSI内部の高周波電流分布を分布図として示すことができた．また差分電磁波解析により，暗号鍵の推定を行ったところ，暗号コア上において，暗号鍵推定の収束が早く，脆弱性が見られることがわかった．その対策として，暗号LSI上に磁性膜を載せることで近傍磁界強度を抑制することができることが確認された．