DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響

摘要

DMA SRAM TEGを用いて，各トランジスタのV_(th)，DIBL，g_m，基板バイアス係数を実測し，スタティックノイズマージンとの関連を調べた．その結果，V_(th)のみでなく，DIBLがSRAMの安定性に大きく影響を与えていることを明らかにした．SRAMの安定性を正確に見積もるには，DIBLばらつきを考慮することが必須である．