オンチップリークモニタ回路を用いたNBTI測定手法の提案と有効性

摘要

近年の微細化によって、トランジスタの経年劣化現象がLSIの正常動作を妨げる要因として顕著になってきている。そのため、この経年劣化現象から引き起こされる回路の劣化度合いを測定し、LSIが正常動作できるように、補正をかける手法が必要になる。本研究ではトランジスタ経年劣化現象の中でも、特に代表的なNBTI（Negative Bias Temperature Instability）に対し劣化の測定手法を提案し有効性を示す。なお、このNBTI測定手法は機器に組み込まれた状態で、回路上のリーク量からNBTIによる劣化をモニタする方式である。