相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルとその回路マッピング実証

摘要

低電圧プログラミングが可能な相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルを設計し、3×3セルアレイ規模での回路マッピングを65nmCMOSプラもトフォームにおいて実証した。ルックアップテーブルのデータメモリおよびプログラマブル配線の切り替えスイッチの各々に合計368個の相補型原子移動スイッチを適用することで、CMOSスイッチを用いたリファレンスセルと比べて78％の小面積化と、プログラマブルセルの不揮発化を実現した。また任意回路を実現するための、RTLコードからコンフィギュレーションデータ生成までの一貫したツールチェーンを併せて開発し、4bitカウンタのマッピングを例題にセルアレイ動作を実証した。