Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価

摘要

不純物ドーピングに伴う不純物バンドの形成、イオン化エネルギーの低下、伝導帯のバンドティリングを考慮して状態密度を計算し、Mottの式を用いてPドープ極薄Siのゼーベック係数を理論的に評価した。その結果、ゼーベック係数の不純物濃度依存性において、1×10~(19)cm~(-3)の近傍でピークが現れた。これは、実験結果と定性的によく一致しており、高濃度ドープしたSiのゼーベック係数が不純物バンドの電子状態密度に強く支配されることを示す。