［招待講演］110億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析

摘要

110億個のトランジスタの特性分布のテール部分にあるトランジスタの特性を詳細に解析した．その結果定電流法で定義されたV_(TH)（V_(THC)）は正規分布から外れるが，外挿法で定義されたV_(TH)（V_(THEX)）はほぼ正規分布に従い，さらに，オン電流（I_(ON)）が異常に低いトランジスタが存在することがわかった．3Dデバイスシミュレーションと詳細なトランジスタ特性の実測により，非正規分布の原因および製造歩留に対する影響について議論した．