不揮発性メモリMRAMの現状と将来展望

摘要

本稿では、磁気トンネル接合（MTJ）素子のトンネル磁気抵抗効果（TMR効果）、スピントルク（STT）などのスピン操作技術、およびそれらを用いた不揮発性メモリMRAMなどのデバイス応用について、歴史と将来展望を述べる。特に、垂直磁化MTJ素子を用いた高集積不揮発性メモリSTT-MRAMや新規デバイス応用について議論する。