［依頼講演］容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価

摘要

トラップからのキャリア放出による空乏層容量過渡応答に基づく容量過渡分光法を用いて、MOCVD n-GaNのトラップ評価を行った。評価に用いた対象デバイスは主にショットキーダイオードであり、電圧パルスを用いるDeep level transient spectroscopy (DLTS)法により電子トラップを評価し、禁制帯幅以上の光パルスを用いるMinority carrier transient spectroscopy (MCTS）法により正孔トラップを評価した。9個の電子トラップと5個の正孔トラップを検出した。なかでも、E_v＋0.86～0.89eV正孔トラップは濃度が高く（～10~(16)cm~(-3)）、デバイス特性との関連性で興味深い。また、E_v＋0.86～0.89eV正孔トラップは炭素、Ga空孔関連欠陥の両者に関係している可能性があり、MCTSと禁制帯幅以下の光パルスを用いるOptical DLTS（ODLTS）を組み合わせた手法による分離評価も試みた。