マイクロストリップ線路を用いた誘電体基板のPIM特性評価

摘要

誘電体基板の受動相互変調ひずみ（PIM）特性を，50 Ω マイクロストリップ線路を用いて実験的に評価し，PIMの発生要因を物理的条件及び化学的条件の双方から考察した．銅はく粗化面粗さは，銅はく組成や厚さ等，他の条件が同一である場合にはPIMレベルの直接的な決定要因となるが，線路幅や銅はく厚など電流密度に影響を与えるパラメータによっても観測されるPIMレベルが大きく異なることを示した．また銅はくの化学的組成についてもオージェ分光法を用いて分析した結果，CrやCoなど金属不純物が銅はく組成成分として含まれている材料では，PIM発生量の増加や不安定化等の現象が見られることを確認した．