［招待講演］1.2μm裏面照射型イメージセンサにおける飽和信号増大と混色抑制のための三次元構造

摘要

1.20μm裏面照射型CMOSイメージセンサに適用した二つの三次元画素構造、縦型転送ゲート(VTG）と埋め込み遮光メタル（BSM）について報告する。VTGにより劇的に改善された電荷転送能力と新しい画素設計により60％高い飽和信号を、BSMにより広範囲の主光線入射角に対して50％低いクロストークを実現した。両技術ともにSi基板に三次元構造を形成する構造であるにもかかわらず暗電流や暗時白点の増加なしに実現している。