InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4×4光スイッチの低消費電力·低偏光依存動作の実現

摘要

次世代の光ネットワークでは、光パケット信号の経路を光のまま切り替える高速な光スイッチが不可欠である。我々は、InAlGaAs/InAlAs半導体を用いた2×2マッハツェンダー干渉計型光スイッチを作製して、実験的に偏光無依存で-20dB以下の低クロストークと約3ナノ秒の高速スイッチング動作を3.5mAの低電流にて実現してきた。今回、ポート数拡張のために、5つの従来素子をカスケード接続する事によって4×4ポートの光スイッチの作製を試み、初期特性を得た。