非対称LDD構造を用いた26V動作高出力1.1W/mm GaAs/InGaP複合チャネルFET

摘要

InGaPFETの電子輸送特性を改善するためにGaAs/InGaP複合チャネルFETを提唱してきた。 今回GaAs/InGaP複合チャネルFETに非対称LDD構造を適用し、さらにゲート·ドレイン間距離(Lgd)を最適化することにより、2端子耐圧を50Vまで改善し高電圧動作を可能とした。療果としてSi-LDMOSと同等の26V動作時に1.1W/mmの高出力特性を達成した。 高電圧動作化により3次相互変調歪み特性(IM3)も従来のGaAs FETと比較して13dBの改善が確認された。