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机译:GaN-HEMTの400Vでの動的挙動とトラップ特性の相関
今田忠紘; 吉川俊英; Daniel PIEDRATomas PALACIOS;
株式会社富士通研究所;
マサチューセッツ工科大学;
GaN-HEMT; 動的オン抵抗; 電子トラップ;
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