ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ОТЖИГ ТОНКИХ ПЛЕНОК СУБОКСИДА КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ГАЗОСТРУЙНОГО ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ С АКТИВАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОННО-ПУЧКОВОЙ ПЛАЗМОЙ

摘要

Методом газоструйного осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой синтезированы тонкие пленки аморфного нестехиометрического оксида кремния (a-SiO_x: H,0 ＜ x ＜ 2). Стехиометрический коэффициент пленок a-SiO_x: Н варьировался в диапазоне 0,47÷1,63 в зависимости от параметра R, определяемого расходом смеси Ar-SiH_4. Высокотемпературный (при температуре 950℃ в течение 2 ч) отжиг тонких пленок a-SiO_x: Н привел к формированию наночастиц кристаллического кремния размером 8,3 ÷ 12,3 нм. Показано, что с увеличением параметра R значения степени кристалличности отожженных пленок увеличиваются до 66. Сделано предположение, что на положение пика нанокристаллического кремния в спектрах комбинационного рассеяния света оказывают влияние механические напряжения. В результате количественной оценки такого напряжения получены значения 1,0 ÷ 1,7 ГПа.