КОМПЛЕКСООБРАЗОВАНИЕ В СИСТЕМАХ Os-Chal-Hal (Chal — S, Se, Те; Hal — CI, Br)

摘要

Изучены закономерности комплексообразования в системах Os—Chal—Hal (Chal — S, Se, Те; Hal — CI, Br) в температурном интервале 100-200 °C. Состав, строение и свойства образующихся комплексов зависят от соотношения Chal: Hal в реакционной среде и ее температуры и исследованы методами рентгеноструктурного анализа монокристаллов (в ряде случаев порошков), ИК-спектроскопии. В присутствии избытка галогенов (среды SCl_2, SeCl_4, ТеСl_4, SeBr_4, Se+SeBr_4+Br_2, TeBr_4, Te+TeBr_4+Br_2) получены молекулярные комплексы общего состава OsChal_2Hal~(12) (Chal — S, Se, Те; Hal — CI, Br) с соотношением в них Chal: Hal= 1:6. Структуру этих комплексов осмия (IV) можно представить в виде укладки анионных комплексов — октаэдров OsHalg ~ и катионных комплексов — тетраэдров :СЬаlНаl_3~+. Координация атомов халькогенов в них дополняется до деформированного октаэдра атомами галогена, входящими в состав анионных комплексов OsHal_6~(2-)В присутствии избытка халькогенов (среды Se+S_2Cl_2, S+Se_2Br_2) осмий (IV) формирует молекулярные (Os_2S_6Se_2Cl_8, Os_2S_7Se_5Br_8) или полимерные (Os_4S~(11)SeCl_8) биядерные ок-таэдрические халькогенгалогенидные комплексы как со связями металл-металл (Os_2S_6-Se_2Cl_8, Os_4S~(11)SeCl_8), так и без