広大、n型高分子半導体材開発電子移動度アモルファス並み

摘要

広島大学の三木江翼助教と尾坂格教授らは、アモルファスシリコン並みの電子移動度を持つn型高分子半導体材料を開発。ナフトビスピラジン（基本骨格）を利用。高分子が緻密に並び、電子が高分子間を移動して流れやすくなつたと考えられる。プリンテッドエレクトロ二クスに提案していく。