nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性

摘要

高分子半導体をチャネルとするトップゲート有機電界効果トランジスタ（有機FET）に高分子絶縁体（PMMA）と可溶性低分子半導体（TIPSペンタセン）から成る電荷蓄積層を用いることで溶液プロセスによる不揮発性メモリの作製が可能となる。本研究では、高電子移動度を示すドナー·アクセプタ型高分子半導体のPNDI（2OD）2Tを用いてnチャネル有機FETメモリをスピンコート法により作製し、メモリ特性を評価した。その結果、PNDI（2OD）2TFETメモリは他の両極性高分子半導体を用いたメモリと異なり、暗状態ではメモリとして動作せずに、光照射下での書込により閾値電圧シフトを示した。また、電荷蓄積層に可溶性フラーレンを添加した際には消去特性が改善されることが分かった。