スピントルク発振素子のセンサ応用の可能性について

摘要

スピントルク発振（STO）素子を磁場センサとして利用する場合の性能について議論する。これまでは磁場検出を行う上で磁気トンネル接合（MTJ）素子利用した磁気抵抗（MR）センサが主に利用されてきた。より高性能な磁場センサを実現するにあたり、STO素子を用いた磁場センサが候補として考えられる。本研究では、MTJ素子を利用したMRセンサとSTO素子を用いた磁場センサの信号雑音（SN）比をそれぞれ解析的理論モデルから導き評価した。モデル式から得られたSN比を各センサで比較した結果、STOセンサにおいて従来のMRセンサよりも大きなSN比が得られ、新たな磁場センサとしての応用が期待できることがわかった。