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【24h】

Influencia del TiO_2 y Al_2O_3 sobre las propiedades electricas y microestructurales de ceramicas de SnO_2 obtenidas por el metodo Pechini

机译:TiO_2和Al_2O_3对Pechini法制得的SnO_2陶瓷电学和微观结构性能的影响

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摘要

El oxido de estano ha despertado gran interes cientifico y tecnologico por su potencial uso en la obtencion varistores. Con el fin de mejorar las propiedades microestructurales y electricas que estos dispositivos presentan se viene estudiando el efecto de incorporar diferentes dopantes, entre ellos el TiO_2 y la Al_2O_3. El efecto que estos oxidos tienen sobre el comportamiento de los varistores del sistema Sn-Co-Nb-Ti-Al, obtenidos a traves del metodo de precursor polimerico (Pechini), fue investigado en este trabajo. La materia prima sintetizada se caracterizo utilizando Difraccion de Rayos X (DRX) y Microscopia Electronica de Barrido (MEB). Muestras sinterizadas se caracterizaron microestructural y electricamente encontrandose que el TiO_2, aparentemente, favorece el crecimiento de grano y la Al_2O_3 contribuye a la disminucion del mismo, efecto que se manifiesta en los varistores con base en Sn-Co-Nb. El campo de ruptura se incremento hasta los 6300V/cm al aumentar el contenido de Al_2O_3 y se obtuvieron coeficientes de no-linealidad de 22.
机译:氧化锡由于其潜在用途而获得压敏电阻,因此引起了极大的科学技术兴趣。为了改善这些器件的微观结构和电学性能,已经研究了掺入包括TiO_2和Al_2O_3在内的不同掺杂剂的效果。在这项工作中,研究了这些氧化物对通过聚合前体方法(Pechini)获得的Sn-Co-Nb-Ti-Al系统的压敏电阻的行为的影响。使用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对合成的原料进行表征。对烧结后的样品进行了微观结构和电学表征,发现TiO_2明显有利于晶粒长大,而Al_2O_3有助于其减少,这种作用在Sn-Co-Nb基压敏电阻中得到了体现。随着Al_2O_3含量的增加,断裂场增加到6300V / cm,得到的非线性系数为22。

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