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机译:Synchrotron X射线地形研究脱位行为在4H-SIC晶体的早期阶段脱位行为
SUNY Stony Brook Dept Mat Sci &
Chem Engn Stony Brook NY 11794 USA;
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Silicon carbide; physical vapor transport; synchrotron x-ray topography; dislocations; macro-steps;
机译:PVT生长的4H-SiC中Surburgs向量的c组分的线生长位错的传播与生长后相互作用的同步X射线形貌研究
机译:Synchrotron X射线地形研究PVT-生长的4H-SiC基板晶片中局部基平面弯曲与基底平面位错的关系
机译:单色同步加速器X射线形貌在掠入射布拉格情形下观察到的4H-SiC晶体中基面位错和螺纹边缘位错的Burgers向量的对比和识别
机译:PVT增长4H-SiC中的汉堡向量的C成分的线生长位错的传播和增长后相互作用的同步X射线形貌研究。
机译:X射线形貌技术在PVT生长4H-SiC晶体缺陷行为研究中的应用
机译:4H-SiC 100 mm PVT生长过程中基面位错密度和热机械应力分析
机译:同步辐射。 IV。同步辐射的物理性质研究。 6.使用成像板通过平面波X射线形貌的生长硅单晶的晶格变形分析。
机译:使用同步加速器白光束形貌的“非接触式”pVT生长镉 - 锌碲化物晶体的表征