机译:垂直隧道场效应晶体管基于硅-MOS2三维二维异质结构
Korea Adv Inst Sci &
Technol Sch Elect Engn Graphene Mat Res Ctr 2D Daejeon 34141 South Korea;
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tunneling transistor; heterostructure; MoS2; silicon; steep-slope device;
机译:垂直隧道场效应晶体管基于硅-MOS2三维二维异质结构
机译:基于气体MOS(2)范德瓦尔斯异质结构的高性能场效应晶体管和逻辑门
机译:基于SiO2 / MOS2芯壳异质结构实现ω形栅极MOS2场效应晶体管
机译:使用晶体管沟道内部的有机异质结构的发光有机场效应晶体管
机译:在异质衬底上生长的基于砷化铟/锑化铟的基于砷化镓/砷化铝镓的异质结构场效应晶体管。
机译:表面钝化对超薄AlN / GaN异质结构场效应晶体管中AlN势垒应力和散射机理的影响
机译:基于具有不同厚度和能量滤波源的二维材料叠层的横向异性结构场效应晶体管