Структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структуры) на основе кремния широко используются в современных полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах. Тенденцией дальнейшего развития микроэлектроники являются повышение функциональной сложности микросхем и увеличение плотности упаковки отдельных структурных элементов. При этом стабильное и надежное функционирование таких приборов и микросхем зависит не только от технологических возможностей, оно определяется в первую очередь физическими процессами, происходящими в приповерхностных слоях полупроводника и на межфазных границах различных материалов, входящих в состав МДП-структур. Основной контролируемый параметр таких структур - энергетический спектр распределения плотности поверхностных состояний по ширине запрещенной зоны полупроводника [1].
展开▼
