超臨界流体を用いたシリコンウエーハの洗浄技術：超臨界CO{sub}2による微細溝内部のレジスト除去効果

摘要

半導体産業では、ULSI（Ultra-Large Scale Integrated Circuits；超大規模集積回路）の高集積化が着実に進展していくなかで、その高集積化がパターン寸法の微細化を基礎とする限り、ウェーハプロセスにおける微細化対応技術の開発が急務である。例えば、DRAMのデザインルールはSIA（Semiconductor Industry Association；米国半導体工業会）のロードマップによると、図1に示すとおり、近年では既にナノメーターのオーダーにある。 洗浄分野では、現在においても主流の洗浄方式はウェット洗浄であり、新しいものとして機能水等を用いた洗浄方法が提案され、良い成果が得られている。しかし、さらなるパターンの微細化が進展すれば、洗浄液の浸透性が問題となり、微細部の洗浄効果が十分に得られないことが予測される。 特に高アスペクト比のコンタクトホールでは、その径が200nm以下になると内部の洗浄が困難になるとの報告もある。このような問題を解決するためには、液体よりも優れた浸透性を萌する超臨界流体が有効である。