最新FeRAM設計·活用技術 - (DRAMに匹敵する容量などの特徴を持つ不揮発性メモリFeRAMの様々な応用展開を紹介〉

摘要

FeRAM （強誘電体メモリ）は、PZT と略称されるチタン酸ジルコン酸鉛などの強誘電体材料を情報蓄積用キャパシタとしてCMOSトランジスタとともに集積することにより、DRAMに匹敵する容量、速度、コストの実現を目指した不揮発メモリである。 PZT では、電圧の印加によつて、結晶中のジルコン、あるいは、チタン原子が移動して分極電荷を形成し、電圧が取り除かれた後もこの分極が残るために、不揮発動作が可能になる。