首页> 外文期刊>軽金属 >ECAP-熱間押出加工法によるSiC粒子分数AZ31Bマグネシウム合金切削チップ複合材料の作製とその機械的性質
【24h】

ECAP-熱間押出加工法によるSiC粒子分数AZ31Bマグネシウム合金切削チップ複合材料の作製とその機械的性質

机译:ECAP-Hot挤出加工方法制备SiC粒子分数AZ31B镁合金切割芯片复合材料及其机械性能

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

AZ31Bマグネシウム合金切削チップとSiC粒子を混合した冷間圧粉体におけるSiC粒子の凝集体の分断および均一分散を促進するため,熟間押出,ECAPおよびその組合せによる強せh断加工の効果をミクロ組織および機械的性質の評価により検討した結果を以下に示す。(1)AZ31B切削チップに平均粒子径がそれぞれd_p=1.2μm,3μmおよび11μmのSiC粒子を体積率でV_f=0~6%まで混合した冷問圧粉体に熱問押出加工を施すことにより,切削チップの表面に薄く付着したSiC粒子は均一な分散挙動を示す。しかしSiC粒子径が比較的小さい3μm以下では,切削チップ相互の界面の3重点に塊状に導入された凝集体を完全に分断するまでには至らなかった。(2)SiC粒子が3μmで体積率を6%とした冷間圧粉体をRoute B_AでN=7回まで繰返しECAP加工した後に熱問押出加工を加えたECAP-熟間押出材は,ECAP回数の増大とともにSiC粒子凝集体の分断および分散することで,SiC粒子をほぼ均一に分散したAZ31Bマグネシウム合金切削チップーSiC粒子複合材を得ることができた。またマトリックスの平均結晶粒径は約2μmと極めて微細化し,σ_B,σ__(0.2)も向上した。(3)ローラ
机译:为了促进与AZ31B镁合金切割尖端和SiC颗粒混合的冷倾粉中SiC颗粒聚集体的碎片化和均匀分散,可以通过ECAP和组合促进螺旋H降解的影响。所检查结果下面显示组织和机械性能的评估。 (1)通过在冷问题挤出中进行热问挤出处理,其中平均粒径为D_P =1.2μm,3μm和11μm,平均粒径受到冷问答过程。SiC颗粒薄薄连接到切割尖端的表面表现出均匀的分散行为。然而,在相对小的SiC粒径为3μm或更小,在切割尖端的界面的故障中引入批量状方式的聚集体未被完全达到。 (2)通过用SiC颗粒进行ECAP处理后,通过用3μm和速率在路径B_A中的体积速率进行速度加工后进行热问挤出物的生态挤出材料。通过在路径B_A中的体积率为6%。通过增加和分散SiC颗粒聚集体其中次数,获得AZ31B镁合金切割芯片SiC颗粒复合材料,其基本上均匀地均匀地分散。另外,基质的平均晶粒尺寸非常小型化,大约2μm,σ_b和σ_(0.2)也得到改善。 (3)劳拉

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号