強磁性体/非磁性体接合におけるスピンポンピング

摘要

1996年にBergerとSlonczewski，は独立に，スピン分極電流を強磁性体に注入すると磁化の歳差運動や反転が生じることを理論的に示した．最近では，この現象はスピン注入磁化反転と呼ばれるが，次のようなメカニズムによって生じる?強磁性体（F_1）／非磁性体（N）／F_2／N多層膜の面に垂直にバイアス電流を流すと，スピン分極電流が流れる?スピン分極電流は，電荷の流れ（電流）にスピンの流れ（スピンカレント）が伴ったものである．FlとF_2の磁化の向きが異なると，F_2の磁化にスピンカレントによるトルク（スピントルク）が働く．このスピントルクが磁化の運動を引き起こす駆動力になる．スピン注入磁化反転ほ讐磁気メモリ（MRAM）の書き込み技術に応用できる可能性があり，多くの国で精力的な研究が進められている割．