炭化珪素単結晶ウエハを開発ブリヂストンが世界初

摘要

ブリヂストンは、次世代の半導体の基板として期待されている炭化珪素（SiC）単結晶ウエハの開発に成功した。 炭化珪素半導体は、現在のシリコーン半導体に比べて、電力損失性、高速動作性、高温動作性等に優れた特性をもっている。 この半導体を用いた各種デバイスが実用されると、情報通信·エネルギー·自動車関連産業など幅広い分野での活用が見込まれ、またLED、LDなど光学デバイスの主流となる窒化ガリウム（GaN）デバイスの基板としても利用が進hでいる。