低温多結晶シリコン成膜技術を用いた新規デバイス応用

摘要

新規プラズマ源の開発により、ユニークな結晶性シリコン薄膜の形成ができるようになった。 シリコン成長初期過程から結晶性の膜が得られる、数nmでは、ナノ結晶化シリコン(nc-Si)に、数十nm～数μmでは、柱状構造になっている。 本稿では、数nmで形成されるnc-Siを使用したメモリデバイスへの応用と、数μmで形成される柱状構造Siを使用した弾道電子面放出型デバイス(BSD)への応用を紹介する。