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酸化ガリウム半導体の表面制御と高品質単結晶薄膜の作製

机译:氧化镓半导体表面控制和高质量单晶薄膜的制备

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摘要

半導体デバイスの進化は,新しい半導体材料の開発に負うところが大きい。窒化ガリウム(GaN)をベースとした材料の開発が大きなインパクトをもたらして以来,次のターゲットと考えられている材料の一つに酸化物半導体がある。酸化物半導体の特徴として,例えば,絶縁体に近い高抵抗から透明導電膜として用いられるほどの低抵抗を示すほか,光·電子·磁気機能にわたる多様な特性を示すことがあげられる。多くの材料は広いバンドギャップを持ち,透明トランジスタ,紫外光機能デバイス,パワーデバイス等への応用が期待されるとともに,新しいスピントロニクス材料としての応用も考えられる。酸化物半導体のもう一つの側面は,環境に優しい材料という点である。酸化物は多くのものが安定で,酸化反応は多くの金属にとって最も生じやすい反応である。
机译:在新的半导体材料的开发中,半导体器件的演化很大。由于氮化镓基材料的发展具有很大的影响,因此认为是下一个靶标的材料是氧化物半导体。作为氧化物半导体的特征,例如,它表现出从高性能到绝缘体的低电阻,以作为透明导电膜的低电阻,并且表示横跨光,电子和磁性功能的各种特性。许多材料具有宽带隙,透明晶体管,紫外线功能装置,功率器件等,并且还可以想到作为新的闪奖材料的应用。氧化物半导体的另一个方面是环保材料。许多氧化物是稳定的,氧化反应是许多金属的最可能反应。

著录项

  • 来源
    《表面科学》 |2010年第12期|共8页
  • 作者单位

    京都大学工学研究科 光·電子理工学教育研究センター;

    京都大学工学研究科 光·電子理工学教育研究センター;

    京都大学工学研究科電子工学専攻;

    京都大学工学研究科 光·電子理工学教育研究センター;

    京都大学工学研究科電子工学専攻;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 金属腐蚀与保护、金属表面处理;
  • 关键词

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