メスバウア一分光による光誘起電荷移動相転移の研究

摘要

遷移金属錯体では，配位子場によるd電子軌道間の分裂の大きさは配位子の種類により変化し，電子配置に大きな影響を与える。例えばFe~（2+）イオンを例にとると，配位子場が弱ければフント則が成立ち，基底状態は高スピン状態となる（電子配置：t_(2g)~4e_g~2，合成スピン：S＝2）。ところが配位子場が強くなると，フント則が破れ基底状態が低スピン状態となる（電子配置：t_(2g)~6，合成スピン：S＝0）。金属錯体のなかには，基底状態が高スピン状態と低スピン状態の境界領域にあり，温度や圧力などの外部条件を変えることにより基底スピン状態が変化する錯体があり，このような錯体をスピンクロスオーバー錯体と呼hでいる。